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domingo, 27 de janeiro de 2019

Acelerar os circuitos integrados: um passo em direção à microeletrônica de uma nova geração foi feito.

Especialistas da Universidade Estadual de Nizhny Novgorod. N.I. Lobachevsky (UNN) foram capazes de desenvolver uma teoria da transformação de ondas de luz em grafeno, o que contribuirá para a criação da microeletrônica da nova geração.
Acelerar os circuitos integrados: um passo em direção à microeletrônica de uma nova geração foi feito


As realizações científicas de especialistas da UNN foram relatadas pelo serviço de imprensa do Ministério da Ciência e Ensino Superior da Federação Russa, que deu o apoio para que sua pesquisa fosse realizada. Com a ajuda da nova teoria, será possível aumentar significativamente a velocidade dos circuitos integrados de fótons (FIS), frequentemente usados ​​em eletrônica. Comparado com os circuitos integrados tradicionais, o FIS tem várias vantagens, a principal delas é a velocidade. Por muitos anos, os cientistas têm procurado material que possa aumentar ainda mais a velocidade do FIS, mas toda a pesquisa chegou a um impasse. Cientistas russos acreditam que os colegas estrangeiros usaram a abordagem errada.


Em particular, o trabalho sobre tecnologia similar foi realizado por especialistas americanos junto com cientistas da Bélgica. Os cientistas da UNN acreditam que os cientistas ocidentais confiaram na suposição incorreta sobre o comportamento do campo magnético de uma onda de luz com um salto na concentração de elétrons no grafeno. Na pesquisa deles eles ergueram a teoria do efeito de realçar a luz. Especialistas russos provaram experimentalmente que esse efeito não existe.

O trabalho sobre a nova teoria está sendo conduzido em um ritmo intenso, tão cedo podemos esperar um progresso significativo na criação de uma nova geração de DRF. O foco principal dos cientistas será no estudo das microondas, representando canais para a propagação de ondas de luz, com base no grafeno.

politexpert

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